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参数目录39592
> STB100NF03L-03-1 MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
型号:
STB100NF03L-03-1
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STB100NF03L-03-1 PDF
其它有关文件
STB100NF03L-03 View All Specifications
标准包装
50
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
3.2 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
88nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
6200pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装
I2PAK
包装
管件
查看STB100NF03L-03-1代理商
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